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IXFB 72N55Q2
100
90
Fig. 7. Input Adm ittance
110
100
Fig. 8. Transconductance
80
70
60
50
40
90
80
70
60
50
40
T J = -40oC
25oC
125oC
30
20
10
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
30
20
10
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
20
40
60
80
100
120
140
160
200
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
180
160
140
120
100
80
60
40
9
8
7
6
5
4
3
2
V DS = 275V
I D = 36A
I G = 10mA
20
0
T J = 125oC
T J = 25oC
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
40
80
120
160
200
240
280
100000
10000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
C iss
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Maxim um Transient Therm al
Resistance
1000
C oss
0.06
0.04
C rss
0.02
100
0
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
1
10 100
Pulse Width - milliseconds
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
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